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미래 기술의 해답
반도체가 만들어 냅니다

Clean

세정(Clean) 공정은 웨이퍼 표면에 있는 불순물을 화학물질처리, 가스, 물리적 방법 등을 통해 제거하는 공정입니다. 외부 환경 유입 및 반도체 제조 공정 시 발생할 수 있는 입자(Particle), 금속(Metal), 유기물, 자연 산화막 등 미량의 불순물도 패턴 결함, 전기적 특성 저하 등 반도체 제품의 수율과 신뢰성에 부정적 영향을 줄 수 있기 때문에 웨이퍼를 깨끗하게 청소하는 세정공정은 반도체 공정에서 매우 중요한 단계입니다.
​ 세정공정은 각 웨이퍼 공정 전후에 가교 역할을 하며 반복적으로 진행되기에 진행 횟수가 다른 공정 대비 2배 정도 많습니다. 최근 미세 공정의 고도화, 사용 물질의 변화에 따라 웨이퍼를 1매씩 처리하는 스프레이 방식(Single Wafer Type, 매엽식)의 비중이 높아지고 있으며, 웨이퍼 표면의 불순물의 종류가 다양한 만큼 웨이퍼 세정에도 다양한 방식이 교차로 적용됩니다.

Photo

포토(Photo) 공정은 포토 리소그래피(Photo lithography) 공정의 줄임말로 회로 패턴이 담긴 마스크 상과 빛을 이용해 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 그려넣는 공정으로 포토 공정에 의해 미세 회로의 패턴이 구현되기 때문에 세심하고 높은 수준의 기술을 요구합니다. 공정 방식은 웨이퍼 표면에
빛에 민감한 물질인 감광액(PR, Photo Resist)을 균일하게 바라는 도포 공정, 회로 패턴이 새겨진 마스크에 빛을 통과시켜 감광액 막이 형선된 웨이퍼 위에 회로를 그려넣는 노광 공정, 현상액 도포를 통해 노광 영역과 그렇지 않은 영역을 선택적으로 제거하는 현상 공정으로 나눠집니다.

Etch

식각 (Etch) 공정은 액체 또는 기체의 부식액(etchant)을 이용해 웨이퍼 표면에 반도체 회로 패턴을 형성하는 공정으로 포토공정에서 형성된 감광액 도포 부분을 제외한 나머지 부분을 부식액으로 벗겨내어 회로를 형성시킵니다.
반응성 기체, 이온 등을 이용하는 건식 식각(Dry Etching)과 화학 용액을 이용하는 습식 식각(Wet Etching)으로 구분되며, 최근 나노 단위로 고집적화되는 반도체 기술 변화에 따라 건식 식각의 공정 적용 범위가 확대되고 있습니다.

EDS

전기적 특성 검사(EDS ; Electrical Die Sorting) 공정은 웨이퍼 위에 전자회로를 그리는 FAB 공정과 최종적인 품의 형태를 갖추는 패키지 공정 사이에 진행되며, 개별 칩들이 원하는 품질 수준에 도달했는지를 확인하는 공정입니다. 웨이퍼 상태 반도체 칩의 품질별 선별은 물론 불량 칩 중 수선 가능한 칩의 양품화, FAB 공정 또는 설계에서 발견된 문제점의 수정, 불량 칩 조기 선별을 통한 패키징공정 및 테스트 작업의 효율 향상 등을 목적으로 합니다. EDS공정은 프로브 카드(Probe Card)에 웨이퍼를 접촉시켜 진행되며, 프로브 카드에 있는 수많은 미세한 핀(Pin)이 웨이퍼와 접촉해 전기를 보내고 그 신호를 통해 불량 칩을 선별하게 됩니다.

Package

패키지(Package) 공정은 웨이퍼 상태의 칩들을 낱개의 칩으로 분리하고 절단된 칩과 기판의 연결, 외부환경으로부터 칩을 보호하기 위한 패키지 성형을 진행하는 공정입니다. 집적회로(IC)가 기판이나 전자기기의 필요한 위치에 장착될 수 있도록 알맞은 모양으로 포장해 상호배선, 전력 공급, 방열과 같은
역할을 수행함은 물론 고온이나 불순물 및 물리적 충격과 같은 다양한 외부 환경으로부터 안전하게 집적회로를 보호하며 웨이퍼 절단(Wafer sawing), 칩 접착(Die attach), 배선 연결(Bonding), 패키지 성형(Molding), 절단(Sawing) 등 으로 구분됩니다.

Test

세정(Clean) 공정은 웨이퍼 표면에 있는 불순물을 화학물질처리, 가스, 물리적 방법 등을 통해 제거하는 공정입니다. 외부 환경 유입 및 반도체 제조 공정 시 발생할 수 있는 입자(Particle), 금속(Metal), 유기물, 자연 산화막 등 미량의 불순물도 패턴 결함, 전기적 특성 저하 등 반도체 제품의 수율과 신뢰성에 부정적 영향을 줄 수 있기 때문에 웨이퍼를 깨끗하게 청소하는 세정공정은 반도체 공정에서 매우 중요한 단계입니다.
​ 세정공정은 각 웨이퍼 공정 전후에 가교 역할을 하며 반복적으로 진행되기에 진행 횟수가 다른 공정 대비 2배 정도 많습니다. 최근 미세 공정의 고도화, 사용 물질의 변화에 따라 웨이퍼를 1매씩 처리하는 스프레이 방식(Single Wafer Type, 매엽식)의 비중이 높아지고 있으며, 웨이퍼 표면의 불순물의 종류가 다양한 만큼 웨이퍼 세정에도 다양한 방식이 교차로 적용됩니다.

Line Automation

세정(Clean) 공정은 웨이퍼 표면에 있는 불순물을 화학물질처리, 가스, 물리적 방법 등을 통해 제거하는 공정입니다. 외부 환경 유입 및 반도체 제조 공정 시 발생할 수 있는 입자(Particle), 금속(Metal), 유기물, 자연 산화막 등 미량의 불순물도 패턴 결함, 전기적 특성 저하 등 반도체 제품의 수율과 신뢰성에 부정적 영향을 줄 수 있기 때문에 웨이퍼를 깨끗하게 청소하는 세정공정은 반도체 공정에서 매우 중요한 단계입니다.
​ 세정공정은 각 웨이퍼 공정 전후에 가교 역할을 하며 반복적으로 진행되기에 진행 횟수가 다른 공정 대비 2배 정도 많습니다. 최근 미세 공정의 고도화, 사용 물질의 변화에 따라 웨이퍼를 1매씩 처리하는 스프레이 방식(Single Wafer Type, 매엽식)의 비중이 높아지고 있으며, 웨이퍼 표면의 불순물의 종류가 다양한 만큼 웨이퍼 세정에도 다양한 방식이 교차로 적용됩니다.

미래 기술의 해답
반도체가 만들어 냅니다

트랜지스터

트랜지스터는 전류의 흐름을 제어하는 스위치 역할을 하는 반도체 소자로 최근 반도체 칩의 고집적화에 따라 하나의 반도체 칩에 수십억개까지도 사용될 수 있습니다. 초고집적회로 시대에 돌입하면서 트렌지스터의 초소형화가 요구됨에 따라, 트랜지스터의 제조 공정 역시 더욱 복잡한 구조와 새로운 소재가 사용되고 있습니다.
트랜지스터의 소형화는 고성능과 저전력을 요구하는 차세대 반도체 개발의 핵심요소로서 세메스의 반도체 설비는 한단계 더 높은 수준의 기술을 바탕으로 3차원 구조의 초미세공정 트렌지스터 형성에 기여하고 있습니다

집적회로

집적회로는 특정의 복잡한 기능을 처리하기 위해 하나의 반도체 기판에 다수의 전자소자를 분리 불가능한 상태로 결합시킨 초소형 구조의 복합적 전자소자 또는 시스템입니다. 전자 부품들을 분리하여 따로 연결하는 방식에서 집적회로로 변화됨으로써 제품의 크기가 작아짐은 물론 모든 회로들이 인접하여 제작되었기 때문에 회로를 통한 연산 속도가 매우 빠르고 전력 소모 또한 매우 적습니다. 집적회로의 회로 소자 수에 따라 LSI, VLSI, ULSI 등으로 구분되며, 집적회로의 구성이 작아질 수록 전자제품의 소형화와 성능향상에 크게 기여하기 때문에 이룰 위한 반도체 제조설비의 초미세공정 대응능력도 크게 중요시되고 있습니다.

메모리반도체

메모리 반도체는 정보 저장을 목적으로 하는 반도체로 데이터 프로세스의 연산작업을 돕기위한 단기 휘발성 메모리와 데이터 저장 관리를 목적으로 하는 장기 비휘발성 메모리로 구분됩니다. 단기 휘발성 메모리를 대표하는 DRAM은 컴퓨터 및 모바일 기기의 고성능/소형화로 인해 공정 미세화를 기반으로 한 더욱 빠른 처리속도와 낮은 전력소모를 지속적으로 요구받고 있으며, 장기 비휘발성 메모리를 대표하는 플래시 메모리 역시 평면구조 공정 형태의 물리적 한계를 극복하기 위해 3차원 수직형태의 공정 구조 도입으로 인해 초미세공정 대응능력이 필요합니다. 또한 고속 처리능력과 대용량 저장능력을 함께 보유한 차세대 반도체 개발까지 활발해지면서 이를 위한 반도체 제조설비의 공정능력 또한 한차원 높은 수준으로 요구되고 있습니다.

시스템 반도체

논리와 연산, 제어기능 등을 수행하는 반도체로 컴퓨터는 물론 휴대폰, 가전기기, 자동차 등 모든 산업분야에 폭넓게 사용되는 반도체입니다. 마이크로컴포넌트, 로직 IC, 주문형 반도체(ASIC), 아날로그 반도체, 광학 반도체, 젼력 반도체, 센서 등으로 다양하게 분류되며, IT 분야는 물론 자동차·에너지·의료·환경 등 다양한 분야와의 융합하면서 4차 산업혁명의 핵심 역할을 수행하고 있습니다. 적용되는 제품의 특성에 따라 다양한 재료와 제조공정을 요구하기 때문에 이를 위한 반도체 제조설비 역시 높은 신뢰성과 생산성을 요구합니다.

웨이퍼 가공

반도체 제조를 위해 가공되지 않은 상테의 웨이퍼에 다양한 공정처리를 하여 미세한 크기의 회로패턴을 형성하는 과정입니다. 웨이퍼의 불숭물을 제거하는 세정설비 및 패턴형성을 도와주는 노광, 증착, 식각 설비 등이 이에 해당되며, 전자산업의 발전에 맞춰 반도체의 고사양화와 소형화가 거듭 요구됨에 따라 웨이퍼 가공 설비 역시 미세공정 대응을 위한 초정밀 제어기슬과 엄격한 품질 관리를 필요로 하고 있습니다. 세메스는 최첨단 공정기술과 안정된 제조기술력을 바탕으로 초미세 공정에도 대응 가능한 다양한 웨이포 가공 설비를 제작하고 있습니다.

패키지

패키징은 웨이퍼에 형성된 반도체 칩이 외부환경으로부터 손상되지 않고 회로기판 및 전자기기에 장착될 수 있도록 완성된 반도체 제품으로 만들어주는 공정으로 웨이퍼 절단 및 절단된 칩의 배선, 패키지 형성/절단 등이 포함됩니다. 최근 모바일 기기의 활성화로 반도체의 소형화가 중요해짐에 따라 반도체 패키징 공정 역시 다양한 기술과 재료를 통해 진행되고 있으며, 세메스의 패키징 설비는 초정밀 제어기술을 바탕으로 첨단 패키징 공정에 대응하고 있습니다.

검사

다양한 전압, 전기 신호 부여 및 온도, 습도 등 다양한 환경변화 부여를 통해 반도체 칩 및 완성된 반도체 제품의 동작여부 및 특성을 확인하는 공정으로 웨이퍼 완성 단계에서 반도체 칩의 상태를 확인하는 EDS 공정과 완성된 반도체 제품의 불량 여부를 확인하는 품질 테스트 공정으로 구분됩니다. 반도체 제조업계의 생산성 향상과 직결되는 공정으로 세메스의 검사설비는 빠르고 정확한 검사능력와 품질 분류능력을 통해 고객사의 제조 수율향상에 크게 기여하고 있습니다.