Clean

세정(Clean) 공정은 웨이퍼 표면에 있는 불순물을 화학물질처리, 가스, 물리적 방법 등을 통해 제거하는 공정입니다. 외부 환경 유입 및 반도체 제조 공정 시 발생할 수 있는 입자(Particle), 금속(Metal), 유기물, 자연 산화막 등 미량의 불순물도 패턴 결함, 전기적 특성 저하 등 반도체 제품의 수율과 신뢰성에 부정적 영향을 줄 수 있기 때문에 웨이퍼를 깨끗하게 청소하는 세정공정은 반도체 공정에서 매우 중요한 단계입니다.
​ 세정공정은 각 웨이퍼 공정 전후에 가교 역할을 하며 반복적으로 진행되기에 진행 횟수가 다른 공정 대비 2배 정도 많습니다. 최근 미세 공정의 고도화, 사용 물질의 변화에 따라 웨이퍼를 1매씩 처리하는 스프레이 방식(Single Wafer Type, 매엽식)의 비중이 높아지고 있으며, 웨이퍼 표면의 불순물의 종류가 다양한 만큼 웨이퍼 세정에도 다양한 방식이 교차로 적용됩니다.

Photo

포토(Photo) 공정은 포토 리소그래피(Photo lithography) 공정의 줄임말로 회로 패턴이 담긴 마스크 상과 빛을 이용해 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 그려넣는 공정으로 포토 공정에 의해 미세 회로의 패턴이 구현되기 때문에 세심하고 높은 수준의 기술을 요구합니다. 공정 방식은 웨이퍼 표면에
빛에 민감한 물질인 감광액(PR, Photo Resist)을 균일하게 바라는 도포 공정, 회로 패턴이 새겨진 마스크에 빛을 통과시켜 감광액 막이 형선된 웨이퍼 위에 회로를 그려넣는 노광 공정, 현상액 도포를 통해 노광 영역과 그렇지 않은 영역을 선택적으로 제거하는 현상 공정으로 나눠집니다.

Etch

식각 (Etch) 공정은 액체 또는 기체의 부식액(Etchant)을 이용해 웨이퍼 표면에 반도체 회로 패턴을 형성하는 공정으로 포토공정에서 형성된 감광액 도포 부분을 제외한 나머지 부분을 부식액으로 벗겨내어 회로를 형성시킵니다.
반응성 기체, 이온 등을 이용하는 건식 식각(Dry Etching)과 화학 용액을 이용하는 습식 식각(Wet Etching)으로 구분되며, 최근 나노 단위로 고집적화되는 반도체 기술 변화에 따라 건식 식각의 공정 적용 범위가 확대되고 있습니다.

EDS

전기적 특성 검사(EDS ; Electrical Die Sorting) 공정은 웨이퍼 위에 전자회로를 그리는 FAB 공정과 최종적인 제품의 형태를 갖추는 패키지 공정 사이에 진행되며, 개별 칩들이 원하는 품질 수준에 도달했는지를 확인하는 공정입니다. 웨이퍼 상태 반도체 칩의 품질별 선별은 물론 불량 칩 중 수선 가능한 칩의 양품화, FAB 공정 또는 설계에서 발견된 문제점의 수정, 불량 칩 조기 선별을 통한 패키징공정 및 테스트 작업의 효율 향상 등을 목적으로 합니다. EDS공정은 프로브 카드(Probe Card)에 웨이퍼를 접촉시켜 진행되며, 프로브 카드에 있는 수많은 미세한 핀(Pin)이 웨이퍼와 접촉해 전기를 보내고 그 신호를 통해 불량 칩을 선별하게 됩니다.

Package

패키지(Package) 공정은 웨이퍼 상태의 칩들을 낱개의 칩으로 분리하고 절단된 칩과 기판의 연결, 외부환경으로부터 칩을 보호하기 위한 패키지 성형을 진행하는 공정입니다. 집적회로(IC)가 기판이나 전자기기의 필요한 위치에 장착될 수 있도록 알맞은 모양으로 포장해 상호배선, 전력 공급, 방열과 같은
역할을 수행함은 물론 고온이나 불순물 및 물리적 충격과 같은 다양한 외부 환경으로부터 안전하게 집적회로를 보호하며 웨이퍼 절단(Wafer Sawing), 칩 접착(Die Attach), 배선 연결(Bonding), 패키지 성형(Molding), 절단(Sawing) 등 으로 구분됩니다.

Test

세정(Clean) 공정은 웨이퍼 표면에 있는 불순물을 화학물질처리, 가스, 물리적 방법 등을 통해 제거하는 공정입니다. 외부 환경 유입 및 반도체 제조 공정 시 발생할 수 있는 입자(Particle), 금속(Metal), 유기물, 자연 산화막 등 미량의 불순물도 패턴 결함, 전기적 특성 저하 등 반도체 제품의 수율과 신뢰성에 부정적 영향을 줄 수 있기 때문에 웨이퍼를 깨끗하게 청소하는 세정공정은 반도체 공정에서 매우 중요한 단계입니다.
​ 세정공정은 각 웨이퍼 공정 전후에 가교 역할을 하며 반복적으로 진행되기에 진행 횟수가 다른 공정 대비 2배 정도 많습니다. 최근 미세 공정의 고도화, 사용 물질의 변화에 따라 웨이퍼를 1매씩 처리하는 스프레이 방식(Single Wafer Type, 매엽식)의 비중이 높아지고 있으며, 웨이퍼 표면의 불순물의 종류가 다양한 만큼 웨이퍼 세정에도 다양한 방식이 교차로 적용됩니다.

Line Automation

세정(Clean) 공정은 웨이퍼 표면에 있는 불순물을 화학물질처리, 가스, 물리적 방법 등을 통해 제거하는 공정입니다. 외부 환경 유입 및 반도체 제조 공정 시 발생할 수 있는 입자(Particle), 금속(Metal), 유기물, 자연 산화막 등 미량의 불순물도 패턴 결함, 전기적 특성 저하 등 반도체 제품의 수율과 신뢰성에 부정적 영향을 줄 수 있기 때문에 웨이퍼를 깨끗하게 청소하는 세정공정은 반도체 공정에서 매우 중요한 단계입니다.
​ 세정공정은 각 웨이퍼 공정 전후에 가교 역할을 하며 반복적으로 진행되기에 진행 횟수가 다른 공정 대비 2배 정도 많습니다. 최근 미세 공정의 고도화, 사용 물질의 변화에 따라 웨이퍼를 1매씩 처리하는 스프레이 방식(Single Wafer Type, 매엽식)의 비중이 높아지고 있으며, 웨이퍼 표면의 불순물의 종류가 다양한 만큼 웨이퍼 세정에도 다양한 방식이 교차로 적용됩니다.